Kompania Samsung Electronics njoftoi fillimin e prodhimit masiv të sistemit të parë në treg me një kristal System-on-Chip (SoC, lexoni detajet këtu) në procesin FinFET 10 nm.
"Zgjidhja e parë e prodhimit masiv 10 nm FinFET në treg konfirmon lidershipin tonë në zhvillimin e teknologjive të avancuara," tha Yeon Shi-yun, Zëvendës President Ekzekutiv, Shef i Divizionit të Prodhimit të Gjysmëpërçuesve. Samsung Elektronikë. - Ne do të vazhdojmë të bëjmë çdo përpjekje për të krijuar teknologji inovative të shkallëzueshme dhe për t'u ofruar përdoruesve zgjidhje të integruara të diferencuara."
Procesor i ri Samsung 10nm FinFET (10LPE) ka një strukturë të avancuar 3D të tranzistorit. Teknologjia dhe dizajni i tij operativ janë përmirësuar në krahasim me versionin e mëparshëm 14 nm, duke siguruar 30% efikasitet më të lartë specifik të sipërfaqes, 40% performancë më të lartë dhe 40% konsum më të ulët të energjisë. Për të hequr kufizimet e shkallëzimit, zgjidhja e re përdor zgjidhjen më të fundit teknike - strukturimin e trefishtë. Ai siguron rrugëzim të dyanshëm për të mbështetur fleksibilitet më të madh në dizajn dhe rrugëzim në krahasim me modelet e mëparshme.
Përpara Samsung prezantoi gjeneratën e parë të zgjidhjeve për procesin teknologjik 10 nm (10LPE). Gjenerata e dytë (10LPP) ka përmirësuar performancën, fillimi i prodhimit të tij masiv është planifikuar për gjysmën e dytë të 2017.
Në bashkëpunim të ngushtë me partnerët Samsung synon gjithashtu të krijojë një ekosistem funksional gjysmëpërçues që integron fluksin e referencës, IP-në dhe mjetet e verifikimit të bibliotekës. Një Kit për Zhvillimin e Prodhimit (PDK) dhe një Komplet për Zhvillimin e IP janë aktualisht në dispozicion për të nisur arkitekturën.
Sistemi SoC 10nm do të përdoret në pajisjet dixhitale nga fillimi i vitit të ardhshëm. Ato pritet të bëhen të disponueshme për konsumatorin masiv gjatë vitit 2017. Mund të mësoni më shumë rreth kompanisë Online .
Lini një Përgjigju