Prodhuesi japonez i mikroqarqeve Kioxia zhvilluar memorie flash Nand me afërsisht 170 shtresa, duke u bashkuar me homologun e tij amerikan Micron Technology dhe SK Hynix të Koresë së Jugut në zhvillimin e teknologjive të avancuara.
Memoria e re NAND u zhvillua së bashku me një partner amerikan Western Digital dhe mund të regjistrojë të dhëna dy herë më shpejt se produkti aktual aktual i Kioxia, i cili përbëhet nga 112 shtresa.
E njohur më parë si Toshiba Memory, Kioxia planifikon të zbulojë NAND-in e saj të ri në Konferencën Ndërkombëtare të Gjendjes së Ngurtë, forumin vjetor global të industrisë së gjysmëpërçuesve dhe planifikon të fillojë prodhimin masiv që në fillim të vitit të ardhshëm.
Ai shpreson të përmbushë kërkesën që lidhet me qendrat e të dhënave dhe telefonat inteligjentë, pasi përhapja e teknologjive wireless të gjeneratës së pestë çon në rritjen e vëllimit dhe shpejtësisë së transmetimit të të dhënave. Por konkurrenca në këtë fushë tashmë është duke u intensifikuar: Micron dhe SK Hynix po shpallin produktet e tyre të reja.
Kioxia gjithashtu ka arritur të vendosë më shumë qeliza memorie për shtresë me NAND-in e saj të ri, që do të thotë se mund të bëjë çipa 30% më të vegjël se të tjerët me të njëjtën sasi memorie. Mikroqarqet më të vogla do të lejojnë fleksibilitet më të madh në krijimin e smartfonëve, serverëve dhe produkteve të tjera.
Për të rritur prodhimin e memories flash, Kioxia dhe Western Digital planifikojnë të fillojnë ndërtimin e një fabrike prej 9,45 miliardë dollarësh në Yokkaido, Japoni këtë pranverë. Ata synojnë të vënë në punë linjat e para që në vitin 2022.
Lexoni gjithashtu: